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對比 型號 廠商 描述 均價 ECAD 數據手冊 替代料
對比 HE-54 Crydom Inc
Heat Sink, Fin, Twisted Fin, Staggered, Aluminum
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650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 屬于常閉型器件。通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復電荷,提供更高的效率,明顯超越傳統硅 (Si) 器件,具有顯著優勢。
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